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另外，大渡单在锂电池阳极材料LiFeSiO4，LiIrO3以及过渡金属氧化物SmNiO3，SrCoO2.5等材料中存在掺杂范围广，带隙变化大的反掺杂效应。型组【图文简介】图1电子反掺杂和空穴反掺杂示意图(a)电子反掺杂和(b)空穴反掺杂示意图。而晶格畸变此时会打开带隙，晶集团件招此时的低能激发发生在体系的配位阴离子之间。

这种反掺杂现象原则上和体系的电子关联效应无关，科拟例如在含有镁空位的氧化镁中也可以存在。中标反掺杂与传统意义上掺杂的预期趋势完全相反——掺杂降低而不是增加电导率。

大渡单(b)空穴反掺杂与之相似。

在掺杂到(a)中之前，型组化合物具有带俘获空穴的，从价带劈裂出来的未占据中间带，而在(b)中，它具有带俘获电子的占据的导带劈裂中间带。晶集团件招还需多久才能在市场上见到二维材料电子产品依旧是一个未知数。

科拟电子产品和技术的革新也需要考虑并适应当前的硅芯片为主的现状。中标研究表明这一处理方式可以对材料实现功能化处理同时提高材料的导电性。

通过控制合成二维纳米结构的单晶钙钛矿，大渡单科学家获得了高太阳能转化效率的光伏材料。【引语】二维材料：型组整理二维材料方面知识，让大家了解的更全面。